昨天咱们给大家介绍了半导体超高纯电子特气系统中的电子混合气,了解到它是特种气体中的重要组成部分,电子混合气体广泛用于大规模集成电路（L.S.I）超大规模集成电路（V.L.S.I）和半导体器件生产制造中。

今天给大家介绍一下运用最多,也最为常见的5类电子混合气体：

1、掺杂混合气体

在半导体器件和集成电路制造中,将某些杂质掺入半导体材料内,使材料具有所需要的导电类型和一定的电阻率,以制造电阻、PN 结、埋层等。掺杂工艺所用的气体称为掺杂气。主要包括砷烷、磷烷、三氟化磷、五氟化磷、三氟化砷、五氟化砷、三氟化硼和乙硼烷等。通常将掺杂源与运载气体（如氩气和氮气）在源柜中混合,混合后气流连续注入扩散炉内并环绕晶片四周,在晶片表面沉积上掺杂剂,进而与硅反应生成掺杂金属而徙动进入硅。

2、外延生长混合气体

外延生长是一种单晶材料淀积并生产在衬底表面上的过程,在半导体工业中,在仔细选择的衬底上选用化学气相淀积的方法,生长一层或多层材料所用的气体叫作外延气体。常用的硅外延气体有二氯二氢硅、四氯化硅和硅烷等。主要用于外延硅淀积,多晶硅淀积,氧化硅膜淀积,氮化硅膜淀积,太阳能电池和其他光感器的非晶硅膜淀积等。

3、离子注入气体

在半导体器件和集成电路制造中,离子注入工艺所用的气体统称为离子注入气,它是把离子化的杂质（如硼、磷、砷等离子）加速到高能级状态,然后注入到预定的衬底上。离子注入技术在控制阀值电压方面应用得最为广泛。注入的杂质量可以通过测量离子束电流而求得。离子注入气体通常指磷系、砷系和硼系气体

4、蚀刻混合气体

蚀刻就是将基片上无光刻胶掩蔽的加工表面（如金属膜、氧化硅膜等）蚀刻掉,而使有光刻胶掩蔽的区域保存下来,以便在基片表面上获得所需要的成像图形。蚀刻方式有湿法化学蚀刻和干法化学蚀刻。干法化学蚀刻所用气体称为蚀刻气体。蚀刻气体通常多为氟化物气体（卤化物类）,例如四氟化碳、三氟化氮、三氟甲烷、六氟乙烷、全氟丙烷等。

5、化学气相淀积混合气体

化学气相淀积混合气体（CVD）是利用挥发性化合物,通过气相化学反应淀积某种单质或化合物的一种方法,即应用气相化学反应的一种成膜方法。依据成膜种类,使用的化学气相淀积（CVD）气体也不相同。

以上,便是关于半导体行业超高纯电子特气系统中运用最多,也最常用的5类电子混合气介绍,感谢您的阅读！