在半导体制程工艺中，外延是一种单晶生长技术的CVD。其原理是利用特气系统中特气管道和电子特气柜等特气设备，将含硅的特种气体（SiH4 或SiCI4或SiH2CI2等）安全稳定的输送到高温(> 1100℃)的衬底上利用氢（H2）在衬底上通过还原反应析出单晶硅的方法。

外延工艺的优点：

①　减少串联电阻；

②　可以控制外延层中的杂质分布；

③　可以用任意浓度和导电类型的硅衬底上人为的故意地进行掺杂，以满足器件花样众多的要求。

外延设备及所用的气体:

化学气相外延生长使用的设备装置通常称为外延生长反应炉。一般主要由气相控制系统、电子控制系统、反应炉主体、排气系统四部分组成。

在半导体外延工艺中，气体控制系统指的就是超高纯电子特气系统，以下简称特气系统。特气系统以耐腐蚀的EP管、气体泄漏监测报警系统、高精度的质量流量计以及特气设备如拥有SEMI S2认证和自动吹扫、自动切换以及紧急情况下的自动安全切断等功能的电子特气柜，来保证外延生长工艺中特种气体的安全稳定输送。

综上所述，特气系统中电子特气柜为半导体外延生长工艺提供安全稳定的气体原材料（如硅烷和二氯二氢硅等），保证生产的安全以及生产率和良品率。最后，感谢您的阅读！